ON Semiconductor MMBZ15VDLT3

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MMBZ15VDLT3

Power Dissipation (Max)

0.3 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Breakdown Voltage-Nom

15 V

Risk Rank

5.7

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

二极管类型

跨压抑制二极管

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大非代表峰值转速功率Dis

40 W

反向电流-最大值

0.1 µA

击穿电压-最小值

14.3 V

最大箝位电压

21.2 V

击穿电压-最大值

15.8 V