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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.447075
500
¥0.328734
1000
¥0.273944
2000
¥0.251324
5000
¥0.234879
10000
¥0.218497
15000
¥0.21131
50000
¥0.207776
ON Semiconductor MMBZ16VTALT1G
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- 对比
MMBZ16VTALT1G
1807-MMBZ16VTALT1G
TVS - 二极管
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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TVS DIODE 13V 23V SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMBZ16VTALT1G详情
ON Semiconductor MMBZ16VTALT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
16V
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G3
极性
UNIDIRECTIONAL
电源线保护
无
电压 - 击穿
15.68V
功率 - 脉冲峰值
40W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
1.7A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
23V
电压 - 反向断态(典型值)
13V
单向通道
2
Rep Pk反向电压-最大值
13V
最大非代表峰值转速功率Dis
40W
反向电流-最大值
0.05μA
反向测试电压
13V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MMBZ16VTALT1G拓展信息
ON Semiconductor
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