ON Semiconductor MMBZ33VALT3G
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MMBZ33VALT3G
1807-MMBZ33VALT3G
TVS - 二极管
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23
--最小包装量--
MMBZ33VALT3G详情
ON Semiconductor MMBZ33VALT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
31.35V
Number of Elements
2
Reverse Stand-off Voltage
26V
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
2007
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
通用型
额定功率
40W
电压 - 额定直流
33V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
1.3mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBZ*A
引脚数量
3
工作电源电压
26V
工作电压
26V
极性
单向
泄漏电流
50nA
电源线保护
无
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
46V
箝位电压
46V
峰值脉冲电流
870mA
最大浪涌电流
870mA
峰值脉冲功率
40W
方向
双向
单向通道
2
双向通道
1
单向通道数
2
长度
2.9mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBZ33VALT3G拓展信息
ON Semiconductor
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