ON Semiconductor MMBZ9V1ALT1G
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MMBZ9V1ALT1G
1807-MMBZ9V1ALT1G
TVS - 二极管
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TVS DIODE 6V 14V SOT23-3
--最小包装量--
MMBZ9V1ALT1G详情
ON Semiconductor MMBZ9V1ALT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
8.65V
Number of Elements
2
Reverse Stand-off Voltage
6V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
24W
电压 - 额定直流
9.1V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
1.3mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBZ*A
引脚数量
3
工作电源电压
6V
工作电压
6V
极性
单向
泄漏电流
300nA
元素配置
共阳极
功率耗散
24W
电源线保护
无
最大反向漏电电流
300nA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
14V
箝位电压
14V
峰值脉冲电流
1.7A
最大浪涌电流
1.7A
峰值脉冲功率
24W
方向
双向
测试电流
1mA
单向通道
2
Rep Pk反向电压-最大值
6V
反向击穿电压
8.65V
最大击穿电压
9.56V
ESD保护
有
单向通道数
2
高度
1.01mm
长度
2.9mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBZ9V1ALT1G拓展信息
ON Semiconductor
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