ON Semiconductor MMBZ9V1ALT3G

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318-08

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MMBZ9V1ALT3G

Power Dissipation (Max)

0.225 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Breakdown Voltage-Nom

9.1 V

Risk Rank

5.52

Part Package Code

SOT-23

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

ZENER

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

COMMON ANODE, 2 ELEMENTS

二极管类型

跨压抑制二极管

Rep Pk反向电压-最大值

6 V

JEDEC-95代码

TO-236

最大非代表峰值转速功率Dis

24 W

击穿电压-最小值

8.65 V

最大箝位电压

14 V

击穿电压-最大值

9.56 V