MMDF2C02HDR2
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ON Semiconductor MMDF2C02HDR2

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型号

MMDF2C02HDR2

utmel 编号

1807-MMDF2C02HDR2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

3.8A, 20V, 0.09ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-07, SOP-8

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MMDF2C02HDR2
MMDF2C02HDR2 ON Semiconductor 3.8A, 20V, 0.09ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-07, SOP-8

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MMDF2C02HDR2详情

ON Semiconductor MMDF2C02HDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MMDF2C02HDR2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    摩托罗拉半导体产品

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Risk Rank

    8.56

  • Drain Current-Max (ID)

    3.8 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3.8 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.09 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    19 A

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    405 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    2 W

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor MMDF2C02HDR2.

MMDF2C02HDR2拓展信息

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