ON Semiconductor MMDF2C03HD
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MMDF2C03HD
1807-MMDF2C03HD
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Power MOSFET 30V 4.1 A 70 mOhm Dual Complementary SO-8, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
--最小包装量--
MMDF2C03HD详情
ON Semiconductor MMDF2C03HD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 751-05
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MMDF2C03HD
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Motorola Mobility LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
5.29
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
2 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3 A
漏极-源极导通最大电阻
0.09 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
21 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
324 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
MMDF2C03HD拓展信息







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