ON Semiconductor MMDF2N02E

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MMDF2N02E

Turn-on Time-Max (ton)

40 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

飞思卡尔半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA SEMICONDUCTOR PRODUCTS

Turn-off Time-Max (toff)

140 ns

Risk Rank

5.91

Drain Current-Max (ID)

3.6 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

245 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.5 W