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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.131563
10
¥2.010912
100
¥1.897085
500
¥1.789699
1000
¥1.688397
ON Semiconductor MMDF2P01HDR2
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- 对比
MMDF2P01HDR2
1807-MMDF2P01HDR2
无类别的
--
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3.4A, 12V, 0.18ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMDF2P01HDR2详情
ON Semiconductor MMDF2P01HDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
SO-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MMDF2P01HDR2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.29
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
3.4 A
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.18 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
17 A
DS 击穿电压-最小值
12 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MMDF2P01HDR2拓展信息






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