ON Semiconductor MMDF2P02E

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

2 A

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.45

Package Description

CASE 751-05, SOIC-8

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MMDF2P02E

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

13 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

245 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.5 W