MMDF2P03HDR2
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ON Semiconductor MMDF2P03HDR2

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型号

MMDF2P03HDR2

utmel 编号

1807-MMDF2P03HDR2

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

3A, 30V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-07, SOP-8

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MMDF2P03HDR2
MMDF2P03HDR2 ON Semiconductor 3A, 30V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-07, SOP-8

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MMDF2P03HDR2详情

ON Semiconductor MMDF2P03HDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MMDF2P03HDR2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    摩托罗拉半导体产品

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Risk Rank

    8.16

  • Drain Current-Max (ID)

    2 A

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.22 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    15 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    324 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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MMDF2P03HDR2拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS