ON Semiconductor MMDF3N03HDR2

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Product Status

Obsolete

厂商

onsemi

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.1A

Base Product Number

MMDF3

Package

Bulk

Package Description

MINIATURE, CASE 751-07, SOP-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 751-07

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MMDF3N03HDR2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

4.1 A

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70mOhm @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.07 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

324 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门