ON Semiconductor MMDF4207R2
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MMDF4207R2
1807-MMDF4207R2
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MOSFET Transistor, Matched Pair, P-Channel, SO
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MMDF4207R2详情
ON Semiconductor MMDF4207R2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MMDF4207R2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
摩托罗拉半导体产品
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
8.75
Drain Current-Max (ID)
4.8 A
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
逻辑电平兼容
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.8 A
漏极-源极导通最大电阻
0.033 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
MMDF4207R2拓展信息







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