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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.786688
10
¥2.62895
100
¥2.480143
500
¥2.339755
1000
¥2.207319
ON Semiconductor MMDF4N01HDR2
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MMDF4N01HDR2
1807-MMDF4N01HDR2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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5.2A, 20V, 0.045ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
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¥
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MMDF4N01HDR2详情
ON Semiconductor MMDF4N01HDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
SO-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MMDF4N01HDR2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.33
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
5.2 A
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.045 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MMDF4N01HDR2拓展信息
ON Semiconductor
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