ON Semiconductor MMDF6N03HDR2
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MMDF6N03HDR2
1807-MMDF6N03HDR2
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6000mA, 30V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 751-07, SOP-8
1最小包装量--
MMDF6N03HDR2详情
ON Semiconductor MMDF6N03HDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CASE 751-07, SOP-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 751-07
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MMDF6N03HDR2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.39
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
6 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
逻辑电平兼容
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6 A
漏极-源极导通最大电阻
0.035 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
反馈上限-最大值 (Crss)
135 pF
MMDF6N03HDR2拓展信息







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