注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.871825
10
¥3.652669
100
¥3.445913
500
¥3.250861
1000
¥3.066851
ON Semiconductor MMDF7N02ZR2
- 收藏
- 对比
MMDF7N02ZR2
1807-MMDF7N02ZR2
无类别的
--
大陆
立即发货

7000mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMDF7N02ZR2详情
ON Semiconductor MMDF7N02ZR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
SO-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MMDF7N02ZR2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.39
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
7 A
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.027 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
155 pF
MMDF7N02ZR2拓展信息






哦! 它是空的。