ON Semiconductor MMFT2N25E

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

MMFT2N25E

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

2 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩能源评级

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-261AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2 A

漏极-源极导通最大电阻

3.5 Ω

DS 击穿电压-最小值

250 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.77 W

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF