ON Semiconductor MMFT960T1
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MMFT960T1
1807-MMFT960T1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-223-4
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MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
1最小包装量--
MMFT960T1详情
ON Semiconductor MMFT960T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
表面安装
YES
包装/外壳
SOT-223-4
引脚数
4
Number of Elements
1
已出版
2006
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn80Pb20)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
800mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
300mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
800mW
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
60V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
300mA
JEDEC-95代码
TO-261AA
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.3A
漏源击穿电压
60V
输入电容
65pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
1.7Ohm
最大rds
1.7 Ω
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
MMFT960T1拓展信息
ON Semiconductor
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