ON Semiconductor MMSZ5259BT1G M4 43V
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MMSZ5259BT1G M4 43V
1807-MMSZ5259BT1G M4 43V
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MMSZ5259BT1G M4 43V详情
ON Semiconductor MMSZ5259BT1G M4 43V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
RoHS
Non-Compliant
包装
Bulk
容差
0.1 %
终止次数
2
温度系数
25 ppm/°C
电阻
93.1 kΩ
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Metal Film
额定功率
250 mW
最大功率耗散
250 mW
军用标准
MIL-PRF-55182
失败率
0.001 %
特征
Military, Moisture Resistant, Weldable
宽度
2.46 mm
长度
7.112 mm
直径
2.39 mm
辐射硬化
无
无铅
含铅
MMSZ5259BT1G M4 43V拓展信息







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