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MMUN2130LT3
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ON Semiconductor MMUN2130LT3

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型号

MMUN2130LT3

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMUN2130LT3

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

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MMUN2130LT3
MMUN2130LT3 ON Semiconductor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

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MMUN2130LT3详情

技术参数

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ON Semiconductor MMUN2130LT3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Manufacturer

    Motorola Mobility LLC

  • Manufacturer Part Number

    MMUN2130LT3

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Risk Rank

    5.35

  • RoHS

    Non-Compliant

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 极性/通道类型

    PNP

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益（hFE）

    3

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • VCEsat-最大值

    0.25 V

  • 环境耗散-最大值

    0.2 W

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor MMUN2130LT3.

MMUN2130LT3拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS