MPF930
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ON Semiconductor MPF930

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型号

MPF930

utmel 编号

1807-MPF930

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2000 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AE

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MPF930
MPF930 ON Semiconductor 2000 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AE

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MPF930详情

ON Semiconductor MPF930重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MPF930

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    摩托罗拉半导体产品

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Risk Rank

    8.59

  • Drain Current-Max (ID)

    2 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    O-PBCY-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-226AE

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.4 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    35 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    18 pF

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技术文档: ON Semiconductor MPF930.

MPF930拓展信息

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公司资质

ISO13485
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