ON Semiconductor MPF930
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MPF930
1807-MPF930
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2000 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AE
1最小包装量--
MPF930详情
ON Semiconductor MPF930重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MPF930
Package Shape
ROUND
Manufacturer
摩托罗拉半导体产品
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
8.59
Drain Current-Max (ID)
2 A
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-226AE
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2 A
漏极-源极导通最大电阻
1.4 Ω
DS 击穿电压-最小值
35 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1 W
反馈上限-最大值 (Crss)
18 pF
MPF930拓展信息







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