ON Semiconductor MT9M131C12STC

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

TO-263HV

Package

Tube

Base Product Number

IXTA6

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V

厂商

IXYS

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Depletion

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2Ohm @ 3A, 0V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2650 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

95 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

耗尽模式