ON Semiconductor MTB10N40E T10N40E
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MTB10N40E T10N40E
1807-MTB10N40E T10N40E
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MTB10N40E T10N40E详情
ON Semiconductor MTB10N40E T10N40E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Voltage, Rating
200 V
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel (TR)
容差
1 %
终止次数
2
温度系数
100 ppm/°C
电阻
316 kΩ
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
厚膜
额定功率
750 mW
最大功率耗散
500 mW
特征
Automotive AEC-Q200
宽度
1.6002 mm
高度
650 µm
长度
3.0988 mm
无铅
无铅
MTB10N40E T10N40E拓展信息







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