ON Semiconductor MTB23P06VT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 90W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-60V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-23A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 11.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1620pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

98.3ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±15V

连续放电电流(ID)

23A

漏极-源极导通最大电阻

0.12Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

81A

雪崩能量等级（Eas）

794 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅