ON Semiconductor MTB2P50ET4G

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

418B-04

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MTB2P50ET4G

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Drain Current-Max (ID)

2 A

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

40

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Risk Rank

5.2

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2 A

漏极-源极导通最大电阻

6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75 W