我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 达到SVHC | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTB2P50ET4G | ON Semiconductor | 数据表 | 6 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 3 | 2 | SILICON | LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 418B-04 | 40 | 150 °C | MTB2P50ET4G | RECTANGULAR | 安森美半导体 | 1 | 生命周期结束 | ON SEMICONDUCTOR | 5.2 | 2 A | e3 | 有 | EAR99 | Tin (Sn) | 雪崩 额定 | 8541.29.00.75 | 其他晶体管 | SINGLE | 鸥翼 | 260 | R-PSSO-G2 | 不合格 | 安森美半导体 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | P-CHANNEL | 2 A | 6 Ω | 6 A | 500 V | 80 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 75 W | not_compliant |
购物车
询价列表
对比列表
微信咨询
QQ咨询
公众号
建议反馈
购物车 (0件产品)
哦! 它是空的。