ON Semiconductor MTB33N10E

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTB33N10E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

8.65

Drain Current-Max (ID)

33 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

33 A

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

99 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

545 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W