ON Semiconductor MTB3N120E

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTB3N120E

Turn-on Time-Max (ton)

60 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Turn-off Time-Max (toff)

110 ns

Risk Rank

5.81

Drain Current-Max (ID)

3 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

11 A

DS 击穿电压-最小值

1200 V

雪崩能量等级（Eas）

101 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

反馈上限-最大值 (Crss)

1860 pF

环境耗散-最大值

125 W