ON Semiconductor MTB4N80E

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

MTB4N80E

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

5.72

Drain Current-Max (ID)

4 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4 A

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

DS 击穿电压-最小值

800 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W