ON Semiconductor MTB75N03HDLT4
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MTB75N03HDLT4
1807-MTB75N03HDLT4
集成电路(IC)
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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
1最小包装量--
MTB75N03HDLT4详情
ON Semiconductor MTB75N03HDLT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
MTB75N03HDLT4
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Package Description
D2PAK-3
Risk Rank
7.81
Drain Current-Max (ID)
75 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
漏极-源极导通最大电阻
0.009 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
225 A
DS 击穿电压-最小值
25 V
雪崩能量等级(Eas)
280 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
MTB75N03HDLT4拓展信息
ON Semiconductor
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