MTBV30P06VT4G
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ON Semiconductor MTBV30P06VT4G

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型号

MTBV30P06VT4G

utmel 编号

1807-MTBV30P06VT4G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power MOSFET -60V -30A 80 mOhm Single P-Channel D2PAK, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL

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MTBV30P06VT4G
MTBV30P06VT4G ON Semiconductor Power MOSFET -60V -30A 80 mOhm Single P-Channel D2PAK, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL

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MTBV30P06VT4G详情

ON Semiconductor MTBV30P06VT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Schedule B

    8541290080

  • Manufacturer Lifecycle Status

    OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    98 ns

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Manufacturer Package Code

    418B-04

  • Manufacturer Part Number

    MTBV30P06VT4G

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.82

  • 包装

    卷带

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 接通延迟时间

    14.7 ns

  • 上升时间

    25.9 ns

  • 连续放电电流(ID)

    30 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    15 V

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor MTBV30P06VT4G.

MTBV30P06VT4G拓展信息

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