ON Semiconductor MTD10N10ELG
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MTD10N10ELG
1807-MTD10N10ELG
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MTD10N10ELG详情
ON Semiconductor MTD10N10ELG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
10 A
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Manufacturer
安森美半导体
Manufacturer Package Code
CASE 369C-01
Manufacturer Part Number
MTD10N10ELG
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
GREEN, CASE 369C-01, DPAK-3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Part Life Cycle Code
Obsolete
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.31
Rohs Code
有
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.22 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
35 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MTD10N10ELG拓展信息







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