ON Semiconductor MTD1302

安装类型

表面贴装

包装/外壳

64-TFSOP (0.240, 6.10mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

64-TSSOP

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTD1302

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

8.71

Drain Current-Max (ID)

20 A

操作温度

0°C ~ 70°C

系列

74SSTV

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

电源电压

2.3 V ~ 2.7 V

Reach合规守则

unknown

基本部件号

74SSTV16859

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

比特数

13, 26

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

逻辑类型

Registered Buffer with SSTL_2 Compatible I/O for DDR

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

漏极-源极导通最大电阻

0.022 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

74 W