ON Semiconductor MTD1P50E

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTD1P50E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

5.72

Drain Current-Max (ID)

1 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1 A

漏极-源极导通最大电阻

15 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

45 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W

环境耗散-最大值

50 W