ON Semiconductor MTD20N06VT4
- 收藏
- 对比
MTD20N06VT4详情
ON Semiconductor MTD20N06VT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
MTD20N06VT4
Turn-on Time-Max (ton)
170 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Motorola Mobility LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Turn-off Time-Max (toff)
140 ns
Risk Rank
5.13
Drain Current-Max (ID)
20 A
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.085 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
200 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
80 pF
环境耗散-最大值
60 W
MTD20N06VT4拓展信息








哦! 它是空的。