ON Semiconductor MTD2955V

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

50 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTD2955V

Turn-on Time-Max (ton)

100 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Turn-off Time-Max (toff)

90 ns

Risk Rank

8.71

Drain Current-Max (ID)

12 A

包装

Rail/Tube

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.9 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

100 ns

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

12 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

漏极-源极导通最大电阻

0.23 Ω

漏源击穿电压

-60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

42 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

216 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

60 W

漏源电阻

230 mΩ

反馈上限-最大值 (Crss)

80 pF

环境耗散-最大值

60 W