ON Semiconductor MTD3055EL
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MTD3055EL
1807-MTD3055EL
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MTD3055EL详情
ON Semiconductor MTD3055EL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MTD3055EL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Motorola Mobility LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
5.7
Drain Current-Max (ID)
12 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
逻辑电平兼容
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12 A
漏极-源极导通最大电阻
0.18 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
26 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
环境耗散-最大值
40 W
MTD3055EL拓展信息







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