ON Semiconductor MTD6N15T4GV
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MTD6N15T4GV
1807-MTD6N15T4GV
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
1最小包装量--
MTD6N15T4GV详情
ON Semiconductor MTD6N15T4GV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
1.25W Ta 20W Tc
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
元素配置
Single
功率耗散
20W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
300mOhm @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
6A
漏源击穿电压
150V
输入电容
1.2nF
漏源电阻
300mOhm
最大rds
300 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
MTD6N15T4GV拓展信息
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