MTD6N15T4GV
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ON Semiconductor MTD6N15T4GV

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型号

MTD6N15T4GV

utmel 编号

1807-MTD6N15T4GV

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 150V 5A DPAK

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MTD6N15T4GV
MTD6N15T4GV ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 5A DPAK

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MTD6N15T4GV详情

ON Semiconductor MTD6N15T4GV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    DPAK

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    6A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    1.25W Ta 20W Tc

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    20W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    300mOhm @ 3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1200pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    30nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    150V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    6A

  • 漏源击穿电压

    150V

  • 输入电容

    1.2nF

  • 漏源电阻

    300mOhm

  • 最大rds

    300 mΩ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

MTD6N15T4GV拓展信息

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