ON Semiconductor MTD6N20ET4

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

22 ns

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

200V

最大功率耗散

1.75W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

700m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

480pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 10V

上升时间

29ns

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.7Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

雪崩能量等级（Eas）

54 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅