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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.558185
10
¥3.356773
100
¥3.16677
500
¥2.98752
1000
¥2.818412
ON Semiconductor MTDF1N03HDR2
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- 对比
MTDF1N03HDR2
1807-MTDF1N03HDR2
无类别的
--
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2000mA, 30V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MICROPAK-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MTDF1N03HDR2详情
ON Semiconductor MTDF1N03HDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
MICROPAK-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MTDF1N03HDR2
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.4
Drain Current-Max (ID)
2 A
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
30 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
2.8 A
漏极-源极导通最大电阻
0.12 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MTDF1N03HDR2拓展信息






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