MTDF1P02HDR2
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ON Semiconductor MTDF1P02HDR2

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型号

MTDF1P02HDR2

utmel 编号

1807-MTDF1P02HDR2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

1600mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MICROPAK-8

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MTDF1P02HDR2
MTDF1P02HDR2 ON Semiconductor 1600mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MICROPAK-8

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MTDF1P02HDR2详情

ON Semiconductor MTDF1P02HDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    MICROPAK-8

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MTDF1P02HDR2

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    7.58

  • Drain Current-Max (ID)

    1.6 A

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    S-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2.3 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.175 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: ON Semiconductor MTDF1P02HDR2.

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