ON Semiconductor MTE53N50E

底架

表面贴装

引脚数

8

终端数量

8

RoHS

Compliant

Package Description

,

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MTE53N50E

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.84

容差

1 %

JESD-609代码

e3

终端

Gull Wing

温度系数

150 ppm/°C

电阻

220 Ω

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

额定功率

600 mW

端子间距

1.27 mm

深度

5.8 mm

Reach合规守则

unknown

军用标准

Not

螺纹距离

1.27 mm

电阻数

7

电路型态

Bussed

每个元件的功率

600 mW

最大漏极电流 (Abs) (ID)

53 A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

460 W

长度

4.98 mm