ON Semiconductor MTP10N10EL

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

100 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

17 ns

Package Description

CASE 221A-09, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

221A-09

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTP10N10EL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.24

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

10 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

10 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

74 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

10 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

15 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10 A

漏极-源极导通最大电阻

0.22 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

35 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

40 W

漏源电阻

220 mΩ

无铅

含铅