ON Semiconductor MTP10N10ELG

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.75W Ta 40W Tc

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1040pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 5V

上升时间

74ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

10A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅