ON Semiconductor MTP10N60E7

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Drain Current-Max (ID)

10 A

Risk Rank

5.68

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer Part Number

MTP10N60E7

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10 A

漏极-源极导通最大电阻

0.75 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

35 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

201 W