ON Semiconductor MTP23P06
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MTP23P06详情
ON Semiconductor MTP23P06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-TBGA
表面安装
NO
供应商器件包装
165-CABGA (13x15)
Memory Types
Volatile
Package Description
,
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MTP23P06
Manufacturer
摩托罗拉半导体产品
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
8.49
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
--
包装
Tray
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
其他晶体管
技术
SRAM - Synchronous, DDR II
电压 - 供电
1.7 V ~ 1.9 V
Reach合规守则
unknown
基本部件号
IDT71P79
配置
Single
内存大小
18Mb (1M x 18)
操作模式
增强型MOSFET
时钟频率
250MHz
访问时间
6.3ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
--
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
23 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
MTP23P06拓展信息








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