ON Semiconductor MTP2955V

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-60V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-12A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

230m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

770pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

100ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

12A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.23Ohm

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

42A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅