ON Semiconductor MTP30P06V

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

-60 V

RoHS

Non-Compliant

Package Description

CASE 221A-09, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 221A-09

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTP30P06V

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.45

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

30 A

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

350 mW

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-30 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

25.9 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

500 mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.08 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

105 A

输入电容

60 pF

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

最大rds

5 Ω

无铅

含铅