ON Semiconductor MTP30P06VG

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

MTP30P06VG

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Part Package Code

TO-220AB

Package Description

LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN

Manufacturer Package Code

CASE 221A-09

Risk Rank

5.47

Drain Current-Max (ID)

30 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.08 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

105 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W