ON Semiconductor MTP36N06E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

NO

供应商器件包装

32-TSOP II

Memory Types

Volatile

Package Description

,

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTP36N06E

Manufacturer

飞思卡尔半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA SEMICONDUCTOR PRODUCTS

Risk Rank

5.91

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3 V ~ 3.6 V

Reach合规守则

unknown

基本部件号

IDT71V124

配置

Single

内存大小

1Mb (128K x 8)

操作模式

增强型MOSFET

访问时间

20ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

20ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

36 A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

100 W