ON Semiconductor MTP36N06VG
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MTP36N06VG详情
ON Semiconductor MTP36N06VG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
MTP36N06VG
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Part Package Code
TO-220AB
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Manufacturer Package Code
CASE 221A-09
Risk Rank
5.84
Drain Current-Max (ID)
32 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.04 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
112 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
205 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MTP36N06VG拓展信息
ON Semiconductor
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